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RF7245线性功率放大器

时间:2019-3-15,阅读:85,发布企业:瑞利诚科技(深圳)有限公司, 资讯类别:会员资讯
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摘要:线性功率放大器 结合了坚固耐用的设备设计即HEXFET电源 MOSFET是众所周知的,为设计者提供了便利具有极其高效和可靠的设备使用

描述

新型沟槽HEXFET®功率MOSFET来自

International Rectifier利用先进的处理技术实现极低导通电阻的技术每硅面积。

品牌:RFMD

型号;RF7245

封装:QFN

包装:2500

年份:16+

数量:900000

瑞利诚科技(深圳)有限公司

联系人:何小姐

TEL:13723714318

qq:3007215867


这个好处,结合了坚固耐用的设备设计即HEXFET电源

MOSFET是众所周知的,为设计者提供了便利具有极其高效和可靠的设备使用

在电池和负载管理应用中。

海沟技术

●超低导通电阻

●P沟道MOSFET

●可用于卷带

参数最大值 单位

VDS漏极 - 源极电压-40 V.

ID @ TA = 25°C连续漏极电流,VGS @ -10V -6.2

ID @ TA = 70°C连续漏极电流,VGS @ -10V -4.9 A.

IDM脉冲漏极电流聛-25

PD @TA = 25°C功耗聝2.5

PD @TA = 70°C功耗聝1.6

线性降额系数20 mW /°C

VGS栅极 - 源极电压±20 V.

TJ,TSTG结和存储温度范围-55至+ 150°C


参数最小值典型。最大。单位条件

V(BR)DSS漏极 - 源极击穿电压-40 --- --- V VGS = 0V,ID =-250μA

ΔV(BR)DSS /ΔTJ击穿电压温度。系数--- 0.03 --- V /°C参考25°C,ID = -1mA

--- 25 41 VGS = -10V,ID = -6.2A ??

--- 45 70 VGS = -4.5V,ID = -5.0A ??

VGS(th)栅极阈值电压-1.0 --- -3.0 V VDS = VGS,ID =-250μA

gfs正向跨导8.9 --- --- S VDS = -10V,ID = -6.2A

--- --- -10 VDS = -32V,VGS = 0V

--- --- -25 VDS = -32V,VGS = 0V,TJ = 70℃

栅极 - 源极正向泄漏--- --- -100 VGS = -20V

栅极 - 源极反向泄漏--- --- 100 VGS = 20V

Qg总栅极电荷--- 53 80 ID = -6.2A

Qgs门到源充电--- 14 21 nC VDS = -32V

Qgd栅极 - 漏极(“米勒”)充电--- 3.9 5.9 VGS = -10V

td(on)开启延迟时间--- 24 --- VDD = -20V ??

tr上升时间--- 280 --- ID = -1.0A

td(关闭)关闭延迟时间--- 210 --- RG =6.0Ω

tf下降时间--- 100 --- VGS = -10V

Ciss输入电容--- 3220 --- VGS = 0V

Coss输出电容--- 160 --- pF VDS = -25V

Crss反向传输电容--- 190 ---ƒ= 1.0kHz


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