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W25Q16BV 16M-BIT串行闪存双和四SPI

时间:2019-4-12, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

1.一般说明W25Q16BV(16M位)串行闪存为有限的系统提供存储解决方案空间,针脚和电源。 25Q系列提供的灵活性和性能远远超出普通的Serial闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM,直接从Dual / Quad SPI执行代码(XIP)并存储语音,文本和数据。这些器件采用2.7V至3.6V单电源供电电流消耗低至4mA有效,1μA用于断电。所有设备均以空间提供 - 保存包裹。W25Q16BV阵列分为8,192个可编程页面,最多256个字节可以一次编程。页面可以以16个组(扇区擦除),128个组(32KB)擦除块擦除),256个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)。 W25Q16BV有512可擦除扇区和32个可擦除块。小的4KB扇区允许更大的灵活性需要数据和参数存储的应用程序。W25Q16BV支持标准串行外设接口(SPI)和高性能双/四路输出以及双/四路I / O SPI:串行时钟,片选,串行数据I / O0(DI),I / O1(DO),I / O2(/ WP)和I / O3(/ HOLD)。支持高达104MHz的SPI时钟频率使用快速时,双输出的等效时钟频率为208MHz,四路输出的等效时钟频率为416MHz读取双/四输出指令。这些传输速率可以胜过标准的异步8和16位并行闪存。连续读取模式允许使用as进行高效的内存访问很少有8个时钟的指令开销来读取24位地址,允许真正的XIP(就地执行)操作。保持引脚,写保护引脚和可编程写保护,带顶部或底部阵列控制,提供进一步的控制灵活此外,该设备支持JEDEC标准制造商和具有64位唯一序列号的设备标识。2.特点&#8226;SpiFlash Memories系列- W25Q16BV:16M位/ 2M字节(2,097,152)- 每个可编程页面256字节•标准,双路或四路SPI- 标准SPI:CLK,/ CS,DI,DO,/ WP,/保持- 双SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,/ WP,/保持- 四路SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,IO2,IO3•最高性能的串行闪存- 高达普通串行闪存的8倍- 104MHz时钟操作- 208MHz等效双SPI- 416MHz等效Quad SPI- 50MB / S连续数据传输速率•高效的“连续读取模式”- 低指令开销- 只需8个时钟即可解决内存问题- 允许真正的XIP(就地执行)操作- 优于X16并行闪存•低功率,宽温度范围- 2.7至3.6V单电源- 4mA有功电流,<1μA断电(典型值)- -40°C至+ 85°C的工作范围•灵活的架构,4KB扇区- 统一扇区擦除(4K字节)- 块擦除(32K和64K字节)- 程序1到256个字节- 超过100,000次擦除/写入周期- 超过20年的数据保留•高级安全功能- 软件和硬件写保护- 顶部或底部,扇区或块选择- 锁定和OTP保护(1)- 每个设备的64位唯一ID•节省空间的包装- 8引脚SO亚虎娱乐平台 150(2)/ 208密耳- 8-pad WSON 6x5-mm- 8引脚PDIP 300 mil(2)- 16引脚SO亚虎娱乐平台 300 mil

包装类型
W25Q16BV采用8引脚塑料150密耳或208密耳宽度SO亚虎娱乐平台 (封装代码SN和SS)和6x5-mm WSON(封装代码ZP),300密耳8引脚PDIP是包选择的另一种选择W25Q16BV还采用16引脚塑料制成300密耳宽SO亚虎娱乐平台

片选(/ CS)SPI片选(/ CS)引脚用于使能和禁止器件操作。当/ CS为高电平时,器件为取消选择,串行数据输出(DO或IO0,IO1,IO2,IO3)引脚处于高阻态。什么时候取消选择后,器件功耗将处于待机水平,除非内部擦除,编程或状态寄存器周期正在进行中。当/ CS变为低电平时,将选择设备供电消耗量将增加到活动水平,并且可以写入指令并从中读取数据设备。上电后,/ CS必须在接受新指令之前从高电平转换为低电平。

/ CS输入必须在上电时跟踪VCC电源电平如果需要一个上拉电阻/ CS可以用来实现这一点。
串行数据输入,输出和IO(DI,DO和IO0,IO1,IO2,IO3)W25Q16BV支持标准SPI,双SPI和四线SPI操作。标准SPI指令使用单向DI(输入)引脚,用于在上升时将指令,地址或数据串行写入器件
串行时钟(CLK)输入引脚的边沿。标准SPI还使用单向DO(输出)进行读取来自器件的数据或状态在下降沿CLK。双通道和四通道SPI指令使用双向IO引脚串行写入指令,地址或数据在CLK的上升沿到器件,并在器件的下降沿读取数据或状态CLK。四SPI指令要求设置状态寄存器-2中的非易失性四线使能位(QE)。当QE = 1时,/ WP引脚变为IO2,/ HOLD引脚变为IO3。

写保护(/ WP)写保护(/ WP)引脚可用于防止写入状态寄存器。用于与状态寄存器的块保护(SEC,TB,BP2,BP1和BP0)位和状态相结合寄存器保护(SRP)位,部分或整个存储器阵列可以受硬件保护。 / WP引脚低电平有效。当状态寄存器-2的QE位设置为四I / O时,/ WP引脚(硬件写操作)由于此引脚用于IO2,因此无法使用保护功能 HOLD(/ HOLD)
/ HOLD引脚允许器件在主动选择时暂停。当/ HOLD变低时,当/ CS为低电平时,DO引脚将处于高阻态,DI和CLK引脚上的信号将被忽略(不在乎)。当/ HOLD变为高电平时,器件操作可以恢复。 / HOLD功能可以当多个设备共享相同的SPI信号时很有用。 / HOLD引脚为低电平有效。当。。。的时候状态寄存器-2的QE位设置为四I / O,由于该引脚为/ HOLD引脚功能不可用用于IO3
8.6串行时钟(CLK)SPI串行时钟输入(CLK)引脚提供串行输入和输出操作的时序

功能描述10.1 SPI操作10.1.1标准SPI指令W25Q16BV通过SPI兼容总线访问,该总线由四个信号组成:串行时钟(CLK),片选(/ CS),串行数据输入(DI)和串行数据输出(DO)。标准SPI指令使用DI输入引脚在上升沿将串行指令,地址或数据写入器件CLK。 DO输出引脚用于在下降沿CLK从器件读取数据或状态。SPI总线操作支持模式0(0,0)和3(1,1)。模式0和模式0之间的主要区别当SPI总线主机处于待机状态且数据为时,模式3涉及CLK信号的正常状态没有被转移到串行闪存。对于模式0,CLK信号在下降和下降时通常为低电平/ CS的上升沿。对于模式3,CLK信号在/ CS的下降沿和上升沿通常为高电平。2双SPI指令使用“快速读取双输出和双I / O”时,W25Q16BV支持双SPI操作(3B和BB hex)说明。这些指令允许数据以2到2传输到设备或从设备传输普通串行闪存设备的三倍速率。双读指令非常适合快速使用在加电(代码阴影)或执行非速度关键代码时将代码下载到RAM直接来自SPI总线(XIP)。使用双SPI指令时,DI和DO引脚变为双向I / O引脚:IO0和IO1。四SPI指令使用“快速读取四路输出”,“快速读取”时,W25Q16BV支持四路SPI操作四I / O“,”字读取四I / O“和”八字四字I / O“(分别为6B,EB,E7和E3十六进制)。这些指令允许数据以普通速率的四到六倍的速率传输到设备或从设备传输串行闪存。 Quad Read指令在连续和随机方面提供了显着的改进访问传输速率允许快速代码遮蔽到RAM或直接从SPI总线(XIP)执行。使用Quad SPI指令时,DI和DO引脚变为双向IO0和IO1,以及/ WP和/ HOLD引脚分别变为IO2和IO3。四SPI指令需要非易失性Quad使能状态寄存器-2中的使能位(QE)。保持功能/ HOLD信号允许W25Q16BV操作在主动选择时暂停(当/ CS为时)低)。在共享SPI数据和时钟信号的情况下,/ HOLD功能可能很有用其他设备。例如,考虑在优先级中断时是否仅部分写入页缓冲区需要使用SPI总线。在这种情况下,/ HOLD功能可以保存指令的状态和缓冲区中的数据,因此一旦总线再次可用,编程就可以从停止的地方恢复。该/ HOLD功能仅适用于标准SPI和双SPI操作,而不适用于Quad SPI。要启动/ HOLD条件,必须在/ CS为低电平时选择器件。 A / HOLD条件将激活如果CLK信号已经为低电平,则在/ HOLD信号的下降沿。如果CLK已经不低了/ HOLD条件将在CLK的下一个下降沿之后激活。 / HOLD条件将终止于如果CLK信号已经为低电平,则/ HOLD信号的上升沿。如果CLK尚未低/ HOLD条件将在CLK的下一个下降沿之后终止。在/ HOLD条件期间,串行数据输出(DO)为高阻抗,忽略串行数据输入(DI)和串行时钟(CLK)。芯片选择(/ CS)信号应在/ HOLD操作的整个持续时间内保持有效(低)以避免重置设备的内部逻辑状态。

书面保护使用非易失性存储器的应用必须考虑噪声和其他噪声的可能性可能危及数据完整性的不利系统条件。为了解决这个问题,W25Q16BV提供了几种保护数据免受无意写入的方法。写保护功能•当VCC低于阈值时,设备复位•上电后延时写入禁用•编程和擦除后写入启用/禁用指令和自动写入禁用•使用状态寄存器进行软件和硬件(/ WP引脚)写保护•使用掉电指令进行写保护•锁定写保护,直到下次上电(1)•一次性程序(OTP)写保护(1)注1:特殊订单可提供这些功能。请参阅订购信息。上电或掉电时,W25Q16BV将保持复位状态,而VCC低于V WI的阈值(参见上电时序和电压电平)。重置时,全部操作已禁用,并且未识别任何指令。在上电期间和VCC电压之后如果超过V WI,则对于t PUW的时间延迟,进一步禁用所有编程和擦除相关指令。这个包括写使能,页编程,扇区擦除,块擦除,芯片擦除和写状态注册说明。请注意,芯片选择引脚(/ CS)必须在上电时跟踪VCC电源电平,直到达到VCC-min水平和t VSL时间延迟。如果需要,可以使用/ CS上的上拉电阻完成这个。上电后,器件通过状态寄存器写操作自动进入写禁止状态启用锁存器(WEL)设置为0.必须在页面编程,扇区之前发出写入启用指令将接受擦除,芯片擦除或写入状态寄存器指令。完成一个程序后,擦除或写入指令将写入使能锁存器(WEL)自动清除为写入禁用状态0。使用写入状态寄存器指令和设置便于软件控制的写保护状态寄存器保护(SRP0,SRP1)和块保护(SEC,TB,BP2,BP1和BP0)位。这些设置允许将部分或全部内存配置为只读。与...一起使用写保护(/ WP)引脚,可以在硬件下启用或禁用对状态寄存器的更改控制。请参阅状态寄存器以获取更多信此外,掉电指令提供了一个额外的写保护级别,因为除了释放掉电之外,所有指令都被忽略指令。

控制和状态寄存器Read Status Register-1和Status Register-2指令可用于提供状态闪存阵列的可用性,如果设备被写入启用或禁用,则写入状态保护,Quad SPI设置和Erase Suspend状态。写状态寄存器指令可以是用于配置器件写保护功能和Quad SPI设置。写入对状态的访问权限寄存器由非易失性状态寄存器保护位(SRP0,SRP1)的状态控制,即写入启用指令,在某些情况下启用/ WP引脚。状态寄存器BUSY是状态寄存器(S0)中的只读位,当器件执行a时,该位被设置为1状态页面编程,扇区擦除,块擦除,芯片擦除或写入状态寄存器指令。在这设备将忽略除读取状态寄存器和擦除暂停之外的其他指令的时间指令(参见交流特性中的t W,t PP,t SE,t BE和t CE)。当程序,擦除或写入状态寄存器指令完成后,BUSY位将被清除为0状态,表示器件已就绪有关进一步说明。写使能锁(WEL)写使能锁存器(WEL)是状态寄存器(S1)中的只读位,在执行a后设置为1写使能指令。当器件禁止写入时,WEL状态位清0。一个写上电或在以下任何指令之后发生禁用状态:写入禁用,页面程序,扇区擦除,块擦除,芯片擦除和写状态寄存器。块保护位(BP2,BP1,BP0)块保护位(BP2,BP1,BP0)是状态寄存器中的非易失性读/写位(S4,S3和S2)提供写保护控制和状态。可以使用写入状态设置块保护位寄存器指令(参见交流特性中的t W)。所有,没有或部分存储器阵列都可以受编程和擦除指令保护(参见状态寄存器存储器保护表)。该块保护位的出厂默认设置为0,没有任何阵列受保护。顶部/底部块保护(TB)非易失性顶部/底部位(TB)控制块保护位(BP2,BP1,BP0)是否可以保护数组的Top(TB = 0)或Bottom(TB = 1),如状态寄存器存储器保护表所示。出厂默认设置为TB = 0。可以使用写状态寄存器指令设置TB位取决于SRP0,SRP1和WEL位的状态。11.1.5扇区/块保护(SEC)非易失性扇区保护位(SEC)控制块保护位(BP2,BP1,BP0)是否保护4KB,阵列的顶部(TB = 0)或底部(TB = 1)中的扇区(SEC = 1)或64KB块(SEC = 0)在状态寄存器内存保护表中。默认设置为SEC = 0。

注意:1.特殊订单可提供这些功能。 请参阅订购信息。2.当SRP1,SRP0 =(1,0)时,掉电,上电周期将SRP1,SRP0改变为(0,0)状态。 擦除暂停状态(SUS)挂起状态位是状态寄存器(S15)中的只读位,在执行后设置为1擦除暂停(75h)指令。 通过擦除恢复(7Ah)指令将SUS状态位清除为0以及断电,上电周期。 四路使能(QE)四路使能(QE)位是状态寄存器(S9)中的非易失性读/写位,允许四线SPI操作。 当QE位设置为0状态(出厂默认值)时,/ WP引脚和/ HOLD被使能。当QE位设置为1时,Quad IO2和IO3引脚使能,/ WP和/ HOLD功能为禁用。警告:如果/ WP或/ HOLD引脚在电源期间直接连接到电源或接地标准SPI或双SPI操作时,QE位不应设置为1。

l读取状态寄存器以外的指令将被忽略,直到程序为止或擦除周期已完成

写状态寄存器(01h)写状态寄存器指令允许写入状态寄存器。写使能指令之前必须执行该设备才能接受写状态寄存器指令(状态寄存器位WEL必须等于1)。一旦写入使能,通过驱动/ CS低电平输入指令,发送指令代码“01h”,然后写入状态寄存器数据字节,并在本数据表的前面部分进行了描述。仅非易失性状态寄存器位SRP0,SEC,TB,BP2,BP1,BP0(状态的第7,5,4,3,2位)可以写入寄存器-1)和QE,SRP1(状态寄存器-2的第9位和第8位)。所有其他状态寄存器位位置是只读的,不受写状态寄存器指令的影响。在输入的数据的第8位或第16位之后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不是这样完成写入状态寄存器指令将不会被执行。如果/ CS在第8个时钟后被驱动为高电平(与25X系列兼容)QE和SRP1位将被清除为0. / CS被驱动为高电平后,自定时写入状态寄存器周期将以t W的持续时间开始(参见交流特性)。写状态寄存器周期正在进行时,读状态寄存器指令可能仍然存在访问以检查BUSY位的状态。写状态寄存器周期期间BUSY位为1当循环结束并准备再次接受其他指令时为0。写入寄存器之后周期结束后,状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位将被清除为0。写状态寄存器指令允许块保护位(SEC,TB,BP2,BP1和BP0)设置用于保护擦除和编程指令中的所有,部分或全部存储器。受保护区域变为只读(请参阅状态寄存器内存保护表和说明)。写状态寄存器指令还允许设置状态寄存器保护位(SRP0,SRP1)。那些位是与写保护(/ WP)引脚,锁定或OTP功能结合使用以禁止写入状态寄存器。有关状态寄存器保护的详细说明,所有状态寄存器位的出厂默认值均为0

读数据(03h)读数据指令允许从存储器中顺序读取一个以上的数据字节。该通过将/ CS引脚驱动为低电平然后移位指令代码“03h”然后移位来启动指令一个24位地址(A23-A0)进入DI引脚。代码和地址位在上升沿锁存CLK引脚。收到地址后,寻址存储单元的数据字节将被移出在CLK的下降沿处的DO引脚上,最高有效位(MSB)优先。地址是自动的在每个数据字节移出后允许连续的,递增到下一个更高的地址数据流。这意味着只要使用一条指令就可以访问整个存储器时钟继续。通过驱动/ CS。如果发出读数据指令擦除,编程或写周期正在进行(BUSY = 1),指令被忽略,不会有任何指令对当前周期的影响。读数据指令允许从D.C.到最大f R的时钟速率(参见交流电气特性)。

快速读取双输出(3Bh)快速读取双输出(3Bh)指令类似于标准快速读取(0Bh)指令,除了数据在两个引脚上输出; IO 0和IO 1。这允许数据从W25Q16BV传输标准SPI器件速率的两倍。快速读取双输出指令非常适合快速读取在加电时将代码从Flash下载到RAM或者将代码段缓存到的应用程序RAM用于执行。与快速读取指令类似,快速读取双输出指令可以在最高位置运行可能的频率为F R(参见交流电气特性)。这是通过添加八个来完成的24位地址后的“虚拟”时钟,虚拟时钟允许器件使用内部电路设置初始地址的额外时间。虚拟时钟期间的输入数据是“不在乎”。但是,IO 0引脚应在第一个数据的下降沿之前为高阻态出时钟。

快速读取四路输出(6Bh)快速读取四输出(6Bh)指令类似于快速读取双输出(3Bh)指令除了数据在四个引脚IO 0,IO 1,IO 2和IO 3上输出。 必须是状态寄存器-2的四线使能在器件接受快速读取四输出指令(状态寄存器位QE)之前执行必须等于1)。 快速读取四输出指令允许从W25Q16BV传输数据是标准SPI器件速率的四倍。快速读取四路输出指令可以在F R的最高频率下工作(参见AC电气特性)。 这是通过在24位地址之后添加8个“伪”时钟来实现的。虚拟时钟允许器件的内部电路有额外的时间进行设置初始地址。 虚拟时钟期间的输入数据是“不关心”。 但是,IO引脚应该在第一个数据输出时钟的下降沿之前是高阻抗

快速读取双I / O(BBh)快速读取双I / O(BBh)指令允许在保持两个IO的同时改进随机访问引脚,IO 0和IO 1。它类似于快速读取双输出(3Bh)指令但具有的功能每个时钟输入两位地址位(A23-0)。这种减少的指令开销可能允许代码在某些应用中直接从Dual SPI执行(XIP)。使用“连续读取模式”快速读取双I / O快速读取双I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0)。该(M7-4)的高半字节控制下一个快速读取双I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节位无关紧要(“X”)。但是,IO引脚应在第一个数据输出时钟的下降沿之前为高阻态。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个快速读取双I / O指令(在/ CS被提升然后降低之后)不需要BBh指令代码,这将指令序列减少了8个时钟,并允许立即读取地址在/ CS断言为低电平后输入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是除了以外的任何值“Ax”十六进制,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运作。 “连续读取模式”复位指令可用于复位(M7-0)在发出正常指令之前

快速读取四I / O(EBh)快速读取四I / O(EBh)指令类似于快速读取双I / O(BBh)指令,除了该地址和数据位通过四个引脚IO 0,IO 1,IO 2和IO 3以及四个Dummy进行输入和输出在数据输出之前需要时钟。 Quad I / O大大降低了指令开销允许直接从Quad SPI实现更快的随机存取代码执行(XIP)。四线使能位必须设置状态寄存器-2的(QE)以启用快速读取四I / O指令。使用“连续读取模式”快速读取四I / O快速读取四I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0),该(M7-4)的高半字节控制下一个快速读取四I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节位无关紧要(“X”)。但是,IO引脚应在第一个数据输出时钟的下降沿之前为高阻态。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个快速读取四I / O指令(在/ CS被提升然后降低之后)不需要EBh指令代码。这将指令序列减少了8个时钟,并允许立即读取地址在/ CS断言为低电平后输入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是除了以外的任何值“Ax”十六进制,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运作。 “连续读取模式”复位指令可用于复位(M7-0)在发出正常指令之前

字读取四I / O(E7h)字读取四I / O(E7h)指令类似于快速读取四I / O(EBh)指令,除了最低地址位(A0)必须等于0,并且在数据之前只需要两个Dummy时钟输出。 Quad I / O显着降低了指令开销,允许更快的代码随机访问直接从Quad SPI执行(XIP)。状态寄存器-2的四使能位(QE)必须设置为启用Word Read Quad I / O指令。Word使用“连续读取模式”读取四I / OWord Read Quad I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0),该(M7-4)的高半字节控制下一个快速读取四I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节位无关紧要(“X”)。但是,IO引脚应在第一个数据输出时钟的下降沿之前为高阻态。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个字读取四I / O.指令(在CS升高然后降低之后)不需要E7h指令代码,这将指令序列减少了8个时钟,并允许读取地址在/ CS断言为低电平后立即进入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是任何值除了“Ax”十六进制之外,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运行。 “连续读取模式”复位指令可以是用于在发出正常指令之前重置(M7-0)

八进制字读取四I / O(E3h)八进制字读取四线I / O(E3h)指令类似于快速读取四线I / O(EBh)指令除了低四个地址位(A0,A1,A2,A3)必须等于0.结果,四个虚拟时钟不需要,这进一步减少了指令开销,允许更快的随机访问代码执行(XIP)。必须将状态寄存器-2的四使能位(QE)置1以使能八进制字读取四I / O指令。具有“连续读取模式”的八进制字读取四I / OOctal Word Read Quad I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0)。该(M7-4)的高半字节控制下一个八进制字读取四I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节不是护理(“x”)。但是,在第一个数据输出的下降沿之前,IO引脚应该是高阻抗时钟。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个八进制字读取四I / O指令(在CS升高然后降低之后)不需要E3h指令代码。这将指令序列减少了8个时钟,并允许读取地址在/ CS断言为低电平后立即进入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是任何值除了“Ax”十六进制之外,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运行。 “连续读取模式”复位指令可以是用于在发出正常指令之前重置(M7-0)

必须在执行之前执行写使能指令设备将接受页面编程指令(状态寄存器位WEL = 1)。该指令已启动通过将/ CS引脚驱动为低电平然后移位指令代码“02h”,然后移位24位地址(A23-A0)和至少一个数据字节进入DI引脚。 / CS引脚必须在整个长度保持低电平数据发送到设备时的指令。则为最后一个地址字节(8个最低有效地址位)应设置为0.如果最后一个地址字节不为零,则时钟数超过剩余时间页面长度,寻址将包装到页面的开头。在某些情况下,少于256个字节(a可以对部分页面进行编程,而不会对同一页面内的其他字节产生任何影响。一执行部分页面程序的条件是时钟数不能超过剩余时间页面长度。如果向设备发送超过256个字节,则寻址将包装到设备的开头页面并覆盖以前发送的数据。与写入和擦除指令一样,/ CS引脚必须在最后一位的第8位之后被驱动为高电平字节已被锁存。如果不这样做,则不会执行Page Program指令。在/ CS之后驱动为高电平时,自定时页面编程指令将开始持续tpp的持续时间(参见AC特性)。页面编程周期正在进行时,可以使用读取状态寄存器指令仍然可以访问以检查BUSY位的状态。页面编程期间BUSY位为1当循环结束并且设备准备好接受其他指令时,循环并变为0再次。页编程周期完成状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位后被清除为0.如果寻址的页面受到保护,则不会执行页面编程指令块保护(BP2,BP1和BP0)位。

四页编程指令允许在以前编程最多256个字节的数据使用四个引脚擦除(FFh)存储单元:IO 0,IO 1,IO 2和IO 3。四页程序可以提高PROM编程器和时钟速度<5MHz的应用程序的性能。时钟速度更快的系统不会为Quad Page Program指令带来太多好处因为固有的页面编程时间远大于输入数据所需的时间。要使用四页编程,必须设置状态寄存器-2中的四路使能(QE = 1)。写使能必须在器件接受四页编程指令(状态寄存器-1,WEL = 1)。通过将/ CS引脚驱动为低电平然后移位指令来启动该指令代码“32h”后跟一个24位地址(A23-A0)和至少一个数据字节,进入IO引脚。 / CS引脚在将数据发送到设备时,必须在指令的整个长度内保持低电平。所有其他四页程序的功能与标准页面程序相同

扇区擦除(20h)扇区擦除指令将指定扇区(4K字节)内的所有存储器设置为全部擦除状态1s(FFh)。必须在器件接受扇区擦除之前执行写使能指令指令(状态寄存器位WEL必须等于1)。通过将/ CS引脚驱动为低电平来启动该指令并将指令代码“20h”移到24位扇区地址(A23-A0)该扇区擦除指令序列。在锁存最后一个字节的第8位后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果没有这样做扇区擦除指令不会被执行。在/ CS被驱动为高电平后,自定时扇区擦除指令将在t SE的持续时间内开始(参见交流特性)。部门擦除循环正在进行中,仍可访问读状态寄存器指令以检查状态BUSY位。扇区擦除周期期间BUSY位为1,周期为0时为BUS已完成,设备已准备好再次接受其他说明。扇区擦除周期后完成状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位被清除为0.扇区擦除如果寻址页面受块保护(SEC,TB,BP2保护,则不会执行指令)BP1和BP0)位

内的所有存储器设置为全部擦除状态1s(FFh)。必须在器件接受块擦除之前执行写使能指令指令(状态寄存器位WEL必须等于1)。通过将/ CS引脚驱动为低电平来启动该指令并将指令代码“52h”移到24位块地址(A23-A0)块擦除指令序列在锁存最后一个字节的第8位后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果没有这样做块擦除指令不会被执行。在/ CS被驱动为高电平后,自定时块擦除指令将在t BE 1的持续时间内开始(参见AC特性)。而块擦除循环正在进行中,仍可访问读状态寄存器指令以检查状态BUSY位。块擦除周期期间BUSY位为1,周期为0时为BUS已完成,设备已准备好再次接受其他说明。块擦除周期后完成状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位被清除为0.块擦除如果寻址页面受块保护(SEC,TB,BP2保护,则不会执行指令)BP1和BP0)位

内的所有存储器设置为全部擦除状态1s(FFh)。必须在器件接受块擦除之前执行写使能指令指令(状态寄存器位WEL必须等于1)。通过将/ CS引脚驱动为低电平来启动该指令并将指令代码“D8h”移到24位块地址(A23-A0)块擦除指令序列。在锁存最后一个字节的第8位后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果没有这样做块擦除指令不会被执行。在/ CS被驱动为高电平后,自定时块擦除指令将在t BE的持续时间内开始(参见交流特性)。而Block Erase循环在进行中,仍然可以访问读状态寄存器指令以检查状态忙碌的一点。块擦除周期期间BUSY位为1,周期结束时为BUS 0并且设备已准备好再次接受其他指令。块擦除循环完成后状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位清零。块擦除指令不会如果寻址页受块保护(SEC,TB,BP2,BP1和BP0)位保护,则执行(参见状态寄存器存储器保护表)。

芯片擦除指令将器件内的所有存储器设置为全1(FFh)的擦除状态。一个写必须在器件接受芯片擦除指令(状态)之前执行使能指令寄存器位WEL必须等于1)。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位来启动该指令指令代码“C7h”或“60h”。芯片擦除指令序列在第8位被锁存后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果没有完成芯片擦除指令不会被执行。在/ CS驱动为高电平后,自定时芯片擦除指令将会开始持续时间t CE(参见AC特性)。芯片擦除周期正在进行中,仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。该在芯片擦除周期期间BUSY位为1,当完成并且器件准备就绪时变为0再次接受其他说明。芯片擦除周期完成写入使能锁存(WEL)位后状态寄存器中的状态被清除为0.如果有任何部分,则不会执行芯片擦除指令阵列受块保护(BP2,BP1和BP0)位保护擦除暂停指令“75h”允许系统中断扇区或块擦除操作然后从任何其他扇区或块读取或编程数据。擦除暂停指令序列。写状态寄存器指令(01h)和擦除指令(20h,52h,D8h,C7h,60h)不是擦除暂停期间允许。擦除暂停仅在扇区或块擦除操作期间有效。如果在芯片擦除或编程操作期间写入,忽略擦除暂停指令。仅当状态中的SUS位时,器件才会接受擦除暂停指令“75h”当扇区或块擦除正在进行时,寄存器等于0且BUSY位等于1。如果是SUSbit等于1或BUSY位等于0,器件将忽略Suspend指令。一个暂停擦除操作需要“t SUS”的最大时间(参见AC特性)。该状态寄存器中的BUSY位将在“t SUS”中清除1到0,并在状态中清除SUS位擦除暂停后,寄存器将立即从0设置为1。对于之前恢复的擦除操作时,还要求暂停指令“75h”不早于最小值发出在前面的恢复指令“7Ah”之后的“t SUS”的时间。擦除暂停状态期间意外断电将重置设备并释放暂停州。状态寄存器中的SUS位也将复位为0.正在进行的扇区或块内的数据暂停可能会被破坏。建议用户实施系统设计在擦除暂停期间防止意外电源中断并保持数据完整性的技术州

必须写入擦除恢复指令“7Ah”以在之后恢复扇区或块擦除操作擦除暂停。 只有当SUS位在设备中时,设备才会接受恢复指令“7Ah”状态寄存器等于1且BUSY位等于0.发出后,SUS位将从1清除立即为0,BUSY位将在200ns内从0设置为1,扇区或块将完成擦除操作。 如果SUS位等于0或BUSY位等于1,则恢复指令“7Ah”将被设备忽略。 擦除恢复指令序列如果先前的Erase Suspend操作被意外中断,则忽略恢复指令断电。 还需要在a中发布后续的Erase Suspend指令在先前的Resume指令之后的“t SUS”的最小时间

虽然正常操作期间的待机电流相对较低,但可以进一步提供待机电流通过掉电指令减少。较低的功耗使断电特别适用于电池供电应用的指令通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“B9h”来启动该指令,如图所示在第8位被锁存后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果没有这样做,则关闭电源指令不会被执行。在/ CS被驱动为高电平之后,将在该时间内进入断电状态持续时间t DP(参见交流特性)。在断电状态下,只有从电源释放 - 将识别将设备恢复为正常操作的设备ID指令。所有其他说明被忽略。这包括读状态寄存器指令,该指令始终可用在正常操作期间。忽略除一条指令之外的所有指令使Power Down状态成为有用的条件用于确保最大写保护。设备始终在正常运行时启动亚虎娱乐平台 C1的待机电流。

从掉电/器件ID释放指令是一种多用途指令。它可以用来将设备从断电状态释放,或获取设备的亚虎国际娱乐 标识(ID)号。要将器件从掉电状态释放,通过将/ CS引脚驱动为低电平来发出指令,将指令代码“ABh”和驱动/ CS移位高,从权力释放 - 在设备恢复正常之前,down将占用t RES1的持续时间(参见AC特性)接受操作和其他说明。 / RES引脚必须在t RES1时间内保持高电平持续时间。当仅用于在不处于断电状态时获取设备ID时,指令由以下方式启动将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“ABh”,然后移位3个虚拟字节。设备ID然后,在CLK的下降沿移出比特,最高有效位(MSB)首先 W25Q16BV的设备ID值列在“制造商和设备识别”表中。可以连续读取设备ID。通过驱动/ CS高电平完成指令。用于将器件从掉电状态释放并获取器件ID时,指令为与先前描述的相同,,除了在/ CS被驱动为高之后它必须保持高电平持续时间t RES2(参见交流特性)。在此持续时间之后,设备将恢复正常操作,其他说明将被接受。如果从掉电中释放/在擦除,编程或写周期正在进行时(BUSY等于时)发出器件ID指令1)忽略指令,不会对当前周期产生任何影响

读取制造商/设备ID指令是从掉电/设备释放的替代方案ID指令,提供JEDEC分配的制造商ID和特定的设备ID。读取制造商/设备ID指令非常类似于从掉电/设备ID释放指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“90h”来启动该指令然后是24位地址(A23-A0)为000000h。之后,Winbond的制造商ID(EFh)并且器件ID在CLK的下降沿移出,最高有效位(MSB),W25Q16BV的设备ID值列在制造商和设备标识中表。如果24位地址初始设置为000001h,则首先读取设备ID,然后再读取制造商ID。制造商和设备ID可以连续读取,从一个到另一个交替另一个。通过驱动/ CS高电平完成指令

读取制造商/设备ID双I / O指令是读取制造商/设备ID指令,提供JEDEC分配的制造商ID和特定设备ID以2倍的速度。读取制造商/设备ID双I / O指令类似于快速读取双I / O指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“92h”移位后跟a来启动该指令位地址(A23-A0)为000000h,8位连续读取模式位,具有输入能力地址位每时钟两位。之后,Winbond的制造商ID(EFh)和设备ID在CLK的下降沿每个时钟移出2位,最高有效位(MSB)制造商和设备标识中列出了W25Q16BV的设备ID值表。如果24位地址初始设置为000001h,则首先读取设备ID,然后再读取制造商ID。制造商和设备ID可以连续读取,从一个到另一个交替另一个。通过驱动/ CS高电平完成指令

Read Manufacturer / Device ID Quad I / O指令是Read Manufacturer /的替代品设备ID指令,提供JEDEC分配的制造商ID和特定设备ID以4倍的速度。读取制造商/设备ID四I / O指令类似于快速读取四I / O指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“94h”后跟a来启动该指令24位地址(A23-A0)为000000h,8位连续读取模式位,然后是4个时钟虚拟周期,能够输入每个时钟四位的地址位。之后,制造商ID为在CLK的下降沿,Winbond(EFh)和器件ID每个时钟移出4位有效位(MSB).W25Q16BV的器件ID值列于制造商和设备识别表。如果24位地址最初设置为000001h,则为设备ID将首先读取,然后是制造商ID。可以读取制造商和设备ID连续地,从一个到另一个交替。通过驱动/ CS高电平完成指令


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